中科大家长论坛

 找回密码
 加入论坛

QQ登录

只需一步,快速开始

查看: 5636|回复: 2
打印 上一主题 下一主题

中国科大在水系锌离子电池研究领域取得重要进展

[复制链接]
跳转到指定楼层
1#
闲庭漫步 发表于 2023-4-8 19:32:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
中国科大在水系锌离子电池研究领域取得重要进展

中国科学技术大学国家同步辐射实验室宋礼教授团队基于插层型锌离子电池正极材料的同步辐射谱学表征,提出了插层剂诱导Vt2g轨道占据的概念,开发了具有快速充电性能的铵根插层五氧化二钒锌离子电池正极材料。相关成果以"Intercalant-induced Vt2gorbital occupation in vanadium oxide cathode toward fast-charging aqueous zinc-ion batteries"为题,于3月20日发表于国际著名学术期刊《PNAS》上。

水系锌离子电池(ZIBs)凭借安全、无毒,以及较高的理论容量,已经成为最具潜力的可持续储能技术之一。在众多ZIBs电极材料中,层状钒氧化物具有晶体结构可调、容量高等特点,是现阶段广泛研究的正极材料。基于离子或分子预插层策略可以有效解决正极材料的晶格空间不足、电子传导性低等问题,从而进一步提升电池性能。然而,目前对插层型正极材料的研究多关注于层间空间膨胀对容量的贡献。因此,发展先进的原位表征技术,从原子轨道方面深入理解由插层剂引起的电极材料内在结构变化是未来高性能正极材料设计和开发的关键所在。


图1.应用于高性能ZIBs正极材料NH4+-V2O5的Vt2g轨道占据机制。

图2.应用于高性能ZIBs正极材料的NH4+-V2O5储能机理分析。

本工作发挥同步辐射光源的综合性实验平台的优势,结合多种原位与非原位同步辐射谱学实验技术,深入揭示了铵根离子(NH4+)插层后,V2O5中V 3dt2g轨道占据的变化,以及充放电过程中的可逆演变规律。研究发现,NH4+插层在很大程度上诱发了V-O键的结构畸变,进一步导致电子结构的重排,促使Vt2g轨道中3dxy空态的占据。这种Vt2g轨道占据极大地提高了材料的电导率,联合NH4+插层后拓宽的层间距,从而显著加速了锌离子(Zn2+)的转移,实现了锌离子电池的超高倍率性能。测试结果表明,在电流密度为200 C时,铵根插层五氧化二钒(NH4+-V2O5)正极材料的比容量仍维持在101.0 mA h g-1,且充电时间仅需18 s。该工作不仅从原子轨道方面对插层型V2O5材料中Zn2+储能机制的理解提供了依据,也为高性能锌离子电池在快充储能器件中的应用奠定了基础。

中国科学技术大学国家同步辐射实验室研究生王一琇和魏世强、特任副研祁正航为论文共同第一作者,陈双明副研究员和宋礼教授为该论文的共同通讯作者。本工作得到了国家基金委杰出青年基金、国家基金委大科学装置联合重点、科技部重点研发计划、中国科学院青年创新促进会、中国科学院国际伙伴计划、合肥综合性国家科学中心能源研究院等项目的资助。

论文链接:[backcolor=transparent !important]https://www.pnas.org/doi/10.1073/pnas.2217208120


(中国科学技术大学国家同步辐射实验室、科研部)





评分

1

查看全部评分

分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空间QQ空间 腾讯微博腾讯微博 腾讯朋友腾讯朋友
收藏收藏 分享分享 分享淘帖 支持支持 反对反对
回复

使用道具 举报

2#
开口便笑 发表于 2023-4-10 22:28:41 | 只看该作者
你的帖子已被中科大家长论坛微信公众平台采用,谢谢!

评分

1

查看全部评分

回复 支持 反对

使用道具 举报

3#
 楼主| 闲庭漫步 发表于 2023-4-12 16:57:35 | 只看该作者
开口便笑 发表于 2023-4-10 22:28
你的帖子已被中科大家长论坛微信公众平台采用,谢谢!

笑编辛苦
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 加入论坛

本版积分规则

渝ICP备19009968号|公安备案号50010502000023|手机版|中科大家长网

GMT+8, 2024-11-12 02:52 , Processed in 1.485245 second(s), 20 queries .

Powered by Discuz! X3.4

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回复 返回顶部 返回列表